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Infineon Technologies IPB023N04NF2SATMA1
| Artikelnummer: | IPB023N04NF2SATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | TRENCH <= 40V |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $1.699 |
| 100+ | $1.3658 |
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Infineon Technologies IPB023N04NF2SATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPB023N04NF2SATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 81µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 Serie StrongIRFET™2 Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.35mOhm @ 70A, 10V Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta), 122A (Tc) Grundproduktnummer IPB023 -
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